英飞凌采用CoolSiCMOSFET技术推新型汽车电源模块

5月3日，英飞凌科技宣布推出新的汽车电源模块“混合动力驱动酷炫”。全桥模块采用CoolSiC MOSFET技术，阻断电压1200V，适用于电动汽车(EV)牵引逆变器。该电源模块基于汽车CoolSiC沟槽MOSFET技术，适用于高功率密度、高性能的应用，从而为电池寿命长、电池成本低的车辆逆变器提供更高的效率，特别是对于采用800 V电池系统、电池容量较大的车辆。

(来源：英飞凌)

现代汽车集团电气化发展团队负责人金焕博士说：“全球模块化电动平台(E-GMP)的800 V系统为下一代电动汽车奠定了技术基础，缩短了充电时间。通过使用基于英飞凌酷思奇电源模块的牵引逆变器，我们可以将车辆的行驶里程增加5%以上，因为与硅基解决方案相比，这种酷思奇解决方案具有更低的损耗和更高的效率。”

英飞凌创新和新兴技术主管马克芒泽(Mark Mnzer)表示：“电动汽车市场一直非常活跃，为创造力和创新奠定了基础。随着SiC器件价格的大幅下降，SiC解决方案的商业化将会加速，以至于SiC技术被广泛用于提高电动汽车的续航里程，使用SiC技术的平台也更具性价比。”

电源模块可以为从硅到碳化硅的相同路径提供简单的升级路径，使逆变器设计可以在1200 V级实现高达250千瓦的高功率、更长的续航里程、更小的电池尺寸和优化的系统尺寸和成本。为了在不同的功率水平下提供最佳的性价比，该产品有两个不同芯片号的版本，即1200伏400安或200安DC额定版本。

CoolSiC汽车MOSFET技术

第一代CoolSiC汽车MOSFET技术针对牵引逆变器进行了优化，专注于实现最低的传导损耗，尤其是在部分负载条件下。与硅IGBT相比，碳化硅场效应晶体管的低开关损耗可以提高逆变器的工作效率。

英飞凌除了优化性能外，还非常重视可靠性。汽车酷碳化硅场效应晶体管的设计和测试可以实现宇宙射线和栅极氧化物的短路鲁棒性和高水平鲁棒性，这对高效设计和可靠的汽车牵引逆变器和其他高压应用非常重要。HybridPACK驱动的CoolSiC电源模块符合汽车电源模块的AQG324规范。