到2020年3DNAND存储器将达到120层

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应用材料公司的Sean Kang在日本的国际内存研讨会(IMW)上谈到了下一代3D NAND闪存。该路线图表示，这种类型的内存中的层数应增加到140个以上，而芯片应更薄。

在3D NAND存储器中，存储单元不在一个平面中，而是在多层中一层一层在另一层之上。这样，可以显着增加每个芯片(矩阵)的存储容量，而不必增加芯片面积或单元必须收缩。大约五年前，出现了第一款3D NAND，即三星第一代具有24层的V-NAND。在下一代中，使用了32层，然后是48层。如今，大多数制造商已达到64层，其中SK Hynix领先72层。

今年的路线图涉及90多个层次，增长了40%以上。同时，存储堆栈的高度应该仅增加大约20%，从4.5μm增加到大约5.5。这是因为，同时，层的厚度从约60nm减小到约55nm。美光已在2015年采用了对存储单元设计的适应性改进和CMOS下阵列(CUA)技术，这是这一代产品的主要特征。

Kang的路线图预计将在120层以上实现3D NAND的下一步发展，到2020年将实现这一目标。到2021年，预计将超过140层并且堆叠高度为8μm，这需要使用新材料。路由不处理存储容量。

如今，制造商采用64层技术已达到每个矩阵512吉比特。在96层的情况下，最初将达到768千兆位，在128层的情况下最终将达到1024千兆位，因此大约可以达到1 TB。每个单元的四位QLC技术还可实现具有96层结构的太比特芯片。三星希望通过第五代V-NAND实现这一目标，并在此基础上推出首批128 TB SSD。