三星开始批量生产512GB eUFS 3.1存储芯片
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三星电子宣布，它已经开始根据新的eUFS 3.1标准批量生产512GB存储芯片。它是对Galaxy S20智能手机系列中使用的现有eUFS 3.0存储的略微升级。
这些eUFS 3.1存储芯片的读和写速度分别高达2100MB / s和1200MB / s。三星声称eUFS 3.1的写入速度是eUFS 3.0芯片的三倍。该芯片的随机读取IOPS为100万，写入IOPS为70,000。
三星表示，eUFS 3.1芯片将使用户无需任何缓冲即可保存在现代旗舰智能手机上录制的8k视频。新芯片允许在短短90秒内发送超过100GB的数据。该芯片将提供两种存储版本-128GB和256GB。
该公司已经开始在中国西安大规模生产该芯片。