高分辨率EUV激光器将允许革命性的光刻技术的出现

最近花姐发现有诸多的小伙伴们对于高分辨率EUV激光器将允许革命性的光刻技术的出现这个问题都颇为感兴趣的，大家也都想要及时了解到高分辨率EUV激光器将允许革命性的光刻技术的出现相关信息，那么花姐今天就来为大家梳理下具体的关于这个问题的一些消息吧。

看来在晶体管成熟技术中，摩尔定律没有得到遵守。我们看到了指数级的发展。目前，晶圆雕刻工艺涉及7nm。许多知名公司都在尽力推出最新技术，例如AMD，它通过台积电将7nm外包。但是，英特尔仍处于后台，并且不依赖第三方。

紫外线的极端光刻技术(EUV)长期以来一直被视为半导体行业的救星：现代制造技术已经在利用极限技术在硅晶片上绘制甚至更小的晶体管，EUV是一次小小的革命，可以雕刻出更精细的细节。毕竟，今年我们将看到EUV进入市场，其输出功率为200瓦(很快就会增加)。

目前，EUV用于7 nm工艺。与专业活动开始时的先前流程相比，制造业具有相对较高的错误率。实际上，到目前为止，使用的光子的波长为193 nm：使用EUV时，波长为13.5 nm –光子的能量与波长相反。所使用的掩模(要生产的晶体管的设计：取决于掩模是否保留光子，是否挖出硅晶片)，因此光子必须比以前具有更高的能量。如今的用户面临一个非常特殊的问题：它们会导致随机缺陷(光子在不应该发生的情况下发生，反之亦然)，“随机打印错误”。

台积电5纳米和更低的雕刻工艺是否有突破?

为了解决该问题，IMEC(一家比利时公司)和KMLabs(美国人)组成了一个团队，创建了一个非常高分辨率的EUV图像实验室。由他们开发的系统产生的EUV具有在气体中传输的非常高能量的红外脉冲：产生的EUV的脉冲序列范围从几阿秒(十亿分之一秒的十亿分之一的十亿分之一)到几皮秒(百万分之一秒)一百万分之一)波长在6.5至47 nm之间。

该激光器可用于微米范围内的干涉测量(某些光学显微镜后面的过程)：可以识别八纳米量级的细节。它还可以观察分子动力学和电离，从而有助于了解化学过程。实际经验?许多实验室使用不同材料的基板测试光致抗蚀剂掩模，但他们无法分析其在曝光期间的行为。

另一方面，这种激光器的功率极为有限：它不能(或非常缓慢地)用于生产半导体。新的发展(相对规模较大)可以扩展技术，但是它们将需要数十年的发展。