台积电再添“利器”SOT-MRAM 内存：功耗仅为类似技术百

1 月 18 日消息，台积电携手工业技术研究院（ITRI）在下一代 MRAM 存储器相关技术方面取得突破性进展，成功研发出“自旋轨道力矩式磁性内存”（SOT-MRAM），搭载创新运算架构，功耗仅为类似技术 STT-MRAM 的百分之一，成为台积电抢占 AI、高性能运算（HPC）市场的新“杀手锏”。

业内人士指出，伴随着 AI、5G 时代来临，自动驾驶、精准医疗诊断、卫星影像辨识等场景应用，都需要更快、更稳、功耗更低的新一代内存。

磁阻式随机存取内存（MRAM）是一种非易失性内存技术，采用硬盘中常见的精致磁性材料，能满足新一代内存需求，吸引三星、英特尔、台积电等大厂投入研发。

台积电目前已经成功开发出 22 纳米、16/12 纳米工艺的 MRAM 产品线，并手握大量内存、车用市场订单，而本次台积电乘胜追击，再次推出 SOT-MRAM，会进一步巩固其市场地位。

台积电表示新款 SOT-MRAM 内存搭载创新运算架构，功耗仅为 STT-MRAM 的 1%，相关研发成果领先国际，并在全球微电子元件领域顶尖会议国际电子元件会议（IEDM）上共同发表论文。

注：STT-MRAM 是通过自旋电流实现信息写入的一种新型非易失性磁随机存储器，是磁性存储器 MRAM 的二代产品。STT-MRAM 存储单元的核心仍然是一个 MTJ，由两层不同厚度的铁磁层及一层几个纳米厚的非磁性隔离层组成，它是通过自旋电流实现信息写入的。