三星研发全新内存技术 LLW DRAM，拥有超高带宽、低延迟

1 月 10 日消息，三星近日透露正积极研发一种新型内存，名为 LLW DRAM，意为低延迟宽 I / O (Low Latency Wide I / O) DRAM。据称，这种内存将带来超高带宽、低延迟和超低功耗的完美结合。三星表示，LLW DRAM 特别适用于需要在设备上运行大型语言模型（LLM）的设备，但其广泛的性能优势也适用于各种客户端工作负载。

LLW DRAM 是一种低功耗内存，拥有宽 I / O、低延迟特性，并拥有高达 128 GB/s 的带宽（据推测是每个模块或堆栈）。相比之下，一个 128 位 DDR5-8000 内存子系统可以提供类似的 128 GB/s 带宽。同时，LLW DRAM 的另一个重要特性是其 1.2pJ / bit 的超低功耗，但三星并未透露其 LLW DRAM 在达到该功耗时的具体数据传输速率。

目前，三星并没有透露太多关于 LLW DRAM 的细节，但该公司此前一直致力于探索宽接口内存技术（例如 GDDR6W）。外界推测，LLW DRAM 可能借鉴了 GDDR6W 的技术，使用 Fan-Out 晶圆级封装 (FOWLP) 技术将多个 DRAM 器件集成到一个封装中，以扩展接口并兼顾容量、性能和低功耗。

考虑到三星于 2022 年第二季度将 GDDR6W 标准化，并计划将其用于人工智能、高性能计算加速器和客户端 PC，LLW DRAM 可能定位于其他领域。考虑到该标准的低功耗特性，可以将其应用于具有 AI 功能的边缘计算设备、智能手机、笔记本电脑，甚至汽车领域。

注意到，三星很少透露其新技术何时上市，但从其公开该技术的预期性能来看，其研发进程应该已经接近尾声。