格芯获美国 3500 万美元资金,加速制造下一代氮化镓芯片

10 月 19 日消息,格芯(GlobalFoundries,格罗方德)最初从 AMD 半导体的制造部门独立而出,目前为世界第四大专业晶圆代工厂,旗下拥有德国德累斯顿、美国奥斯汀和纽约州 (建设中) 等多座工厂。

格芯现发布新闻稿,宣布获得从美国国防部提供的 3500 万美元(备注:当前约 2.56 亿元人民币)资金,以加速其位于佛蒙特州埃塞克斯工厂制造硅基氮化镓 (GaN on Si) 芯片。

据格芯称,该资金建立在与美国政府多年合作的基础上,其中包括 2020 年至 2022 年提供的 4000 万美元支持。这笔资金预计将使该公司更接近 200mm 晶圆上硅基氮化镓的量产,200mm 晶圆是 GaN 技术的最先进技术。

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