格芯获美国 3500 万美元资金，加速制造下一代氮化镓芯片
10 月 19 日消息，格芯（GlobalFoundries，格罗方德）最初从 AMD 半导体的制造部门独立而出，目前为世界第四大专业晶圆代工厂，旗下拥有德国德累斯顿、美国奥斯汀和纽约州 (建设中) 等多座工厂。
格芯现发布新闻稿，宣布获得从美国国防部提供的 3500 万美元（备注：当前约 2.56 亿元人民币）资金，以加速其位于佛蒙特州埃塞克斯工厂制造硅基氮化镓 (GaN on Si) 芯片。
据格芯称，该资金建立在与美国政府多年合作的基础上，其中包括 2020 年至 2022 年提供的 4000 万美元支持。这笔资金预计将使该公司更接近 200mm 晶圆上硅基氮化镓的量产，200mm 晶圆是 GaN 技术的最先进技术。