台积电加速迈向 2nm 工艺,消息称高雄工厂正规划量产 N2P

10 月 12 日消息,台积电正加速迈向 2nm。根据 MoneyDJ 报道,位于新竹宝山的台积电工厂预计于 2024 年第 2 季度开始安装设备,预计 2025 年第 4 季度量产,初期月产量约 3 万片晶圆。

台积电的高雄工厂目前也正在积极“备战”,预估将会在 N2 工艺登场 1 年后,采用背面供电技术,量产 N2P(2nm 加强版)工艺。

此前报道,台积电此前透露信息,在 N2 工艺上扩展背面电源轨(backside power rail)解决方案,减少红外衰减和改善信号,性能可以提高 10% 至 12%,并让逻辑面积减少 10% 至 15%。

台积电计划 2025 年下半年向客户交付背面电源轨样品,并与 2026 年量产。

三星此前公布的半导体规划,2025 年大规模量产 2nm,2027 年量产 1.4nm;而英特尔方面,预估 2024 年上半年量产 l 采用 Gate All Around(GAA)技术 RibbonFET 电晶体架构的 20A,2025 年量产 18A。

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