三星宣布成功完成8纳米5G射频解决方案开发:能效提升35%

三星官网今天宣布，推出了基于8 nm技术的最新射频技术。

三星表示，这项先进技术有望为专为支持多通道、多天线芯片设计而设计的5G通信提供“单芯片解决方案”。三星的8纳米射频平台将把其在5G半导体市场的领先地位从亚6GHz频段扩展到毫米波应用。

三星的8纳米射频技术是广泛使用的射频相关解决方案的最新补充，包括28纳米和14纳米。自2017年以来，三星已经为高端智能手机发运了超过5亿个移动终端射频芯片。

“通过卓越的创新和流程制造，我们强化了我们的下一代无线通信产品。”三星电子原始设备制造商技术开发团队负责人现代李真说。“随着5G毫米波的扩展，三星8纳米射频将成为寻求在紧凑型移动终端上实现更长电池寿命和出色信号质量的客户的良好解决方案。”

随着向高级节点的不断扩展，数字电路在性能、功耗和面积(PPA)方面得到了显著改善，而模拟/射频模块由于退化寄生效应(如窄线宽导致的电阻增加)而没有得到改善。因此，大多数通信芯片倾向于遭受射频特性的退化，例如接收频率放大性能的退化和功耗的增加。

为了克服模拟/射频扩展的挑战，三星开发了一种独特的8纳米射频专用架构，称为射频极值效应(RFeFET)，可显著改善射频特性并降低功耗。相比14 nm射频，三星的RFeFET补充了数字PPA扩展，恢复了模拟/射频扩展，从而实现了高性能5G平台。

三星在新闻稿中写道，三星的流程优化最大化了渠道流动性，最小化了寄生效应。由于射频场效应晶体管的性能大大提高，射频芯片的晶体管总数和模拟/射频模块的面积可以减少。与14纳米射频相比，三星的8纳米射频技术由于射频芯片架构的创新，将功率效率提高了35%，并将射频芯片面积减少了35%。