东芝存储器公司宣布96层NAND BiCS QLC芯片

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作为全球领先的闪存存储解决方案制造商，东芝存储公司(Toshiba Memory Corporation)宣布了96层NAND BiCS QLC QLC芯片的原型样品的开发，该芯片具有其专利的3D闪存技术，每单元4位QLC技术，可将单芯片容量显着提高到有史以来的最高水平。

东芝存储器公司宣布，它将在9月初开始向SSD制造商提供其第一批96层NAND BiCS QLC存储技术，并打算在明年于2019年开始批量生产。这种新的96层NAND BiCS QLC该芯片通过与Western Digital Corporation联合开发的单个芯片实现1.33 TB的容量。在单个封装中使用这些芯片中的16个将使构建容量为2.66 TB的SSD成为可能，这在业界是一项真正的成就。

这样，东芝存储器公司准备领导产品系列，专注于解决移动终端产生的海量数据以及SNS的扩展和物联网的发展。所有这些数据必须实时使用，因此SSD存储在速度方面优于机械硬盘，因此至关重要。东芝存储公司将在8月6日至9日于加利福尼亚州圣克拉拉举行的2018年闪存峰会上展示基于这些96层NAND BiCS QLC芯片的封装。

东芝存储器不断提高存储器容量和性能，并开发新技术以满足市场的各种需求，包括迅速扩展的数据中心存储市场。